應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF20N60C | 材料:IC | 封裝形式:220F

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):SPP20N60C3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):SPI20N60C3 | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-220 | 發(fā)貨期限:3 | 應(yīng)用范圍:放大

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TK20A60U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | --:--

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):SPP20N60C3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號(hào):AOTF20N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 應(yīng)用范圍:其他

品牌:韓國FH | 型號(hào):FHP12N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:LMP-C/阻抗變換 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

種類:場效應(yīng)管 | 品牌:新潔能 | 型號(hào):NCE20N60

種類:場效應(yīng)管 | 品牌:新潔能 | 型號(hào):NCE20N60F

種類:場效應(yīng)管 | 品牌:新潔能 | 型號(hào):NCE20N60T

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TK20J60U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:--

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TK20A60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | --:--

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FCPF20N60 | 功率:原廠 | 用途:電視機(jī) | 封裝:220F | 批號(hào):13+ | 產(chǎn)品類型:原廠 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 供應(yīng)商類型:原廠

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXFH20N60 | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-3P | 發(fā)貨期限:3 | 應(yīng)用范圍:放大

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):SPP20N60C3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號(hào):AOW20S60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 應(yīng)用范圍:其他

品牌:ST/意法 | 型號(hào):P25NM50N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 集電極最大允許電流ICM:20 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:50

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF10N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:ST/意法 | 型號(hào):STW26NM60N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:TO-247-3 | 類型:其他IC | 批號(hào):11+ | 封裝:TO-247