參數(shù)資料
型號(hào)： CGH40010
廠商： Cree, Inc.
英文描述： 10 W, RF Power GaN HEMT
中文描述： 10瓦，射頻功率GaN HEMT器件
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 780K
代理商： CGH40010
2
CGH4000 Rev .4 Preliminary
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, NC 27703
USA Tel: +1.919.313.5300
Fax: +1.919.313.5778
www.cree.com/wireless
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Absolute Maximum Ratings (not simultaneous) at 25C Case Temperature
Parameter
Symbol
Rating
Units
Drain-Source Voltage
V
DSS
V
GS
T
STG
T
J
I
GMAX
T
S
84
Volts
Gate-to-Source Voltage
-10, +2
Volts
Storage Temperature
-55, +150
C
Operating Junction Temperature
175
C
Maximum Forward Gate Current
4.0
mA
Soldering Temperature
245
C
Thermal Resistance, Junction to
Case
1
R
θ
JC
5.0
C/W
Note:
1
Measured for the CGH40010F at P
DISS
= 14 W.
Electrical Characteristics (T
C
= 25C)
Characteristics
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Conditions
DC Characteristics
4
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
-3.0
-2.5
-1.8
VDC
V
DS
= 10 V, I
D
= 3.6 mA
Gate Quiescent Voltage
V
GS(Q)
–
-2.0
–
VDC
V
DS
= 28 V, I
D
= 200 mA
Saturated Drain Current
I
DS
2.4
2.7
–
A
V
DS
= 6.0 V, V
GS
= 2.0 V
Drain-Source Breakdown Voltage
V
BR
84
100
–
VDC
V
GS
= -8 V, I
D
= 3.6 mA
Case Operating Temperature
T
C
-10
–
+105
C
Screw Torque
T
–
–
60
in-oz
Reference 440166 Package Revision 3
RF Characteristics (T
C
= 25
C, F
0
= 3.7 GHz unless otherwise noted)
Small Signal Gain
G
SS
13.5
14.5
–
dB
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 200 mA
Power Output at 3 dB
Compression
P
3dB
10
12.5
–
W
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 200 mA
Drain Efficiency
1,2
η
55
65
–
%
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 200 mA, P
3dB
Output Mismatch Stress
VSWR
–
TBD
–
Y
No damage at all phase angles,
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 200 mA,
P
OUT
= 12 W CW
Dynamic Characteristics
Input Capacitance
C
GS
–
5.00
–
pF
V
DS
= 28 V, V
gs
= -8 V, f = 1 MHz
Output Capacitance
C
DS
–
1.32
–
pF
V
DS
= 28 V, V
gs
= -8 V, f = 1 MHz
Feedback Capacitance
C
GD
–
0.43
–
pF
V
DS
= 28 V, V
gs
= -8 V, f = 1 MHz
Notes:
1
Drain Efficiency = P
/ P
2
When tuned for best efficiency (see the applications chart in this data sheet).
3
When tuned for best P
(see the applications chart in this data sheet).
4
Measured on wafer prior to packaging.
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CGH40025F 功能描述:TRANS 25W RF GAN HEMT 440166 PKG RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:GaN 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
CGH40025F-TB 功能描述:BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40025 RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 評(píng)估和開(kāi)發(fā)套件，板 系列:GaN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:GPS 接收器 頻率:1575MHz 適用于相關(guān)產(chǎn)品:- 已供物品:模塊 其它名稱:SER3796
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