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參數(shù)資料
| 型號： | CEG3456A |
| 英文描述： | 30V N Channel MOS |
| 中文描述： | 30V的?頻道馬鞍山 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | CEG3456A |
Figure 5. Gate Threshold Variation
with Temperature
Figure 6. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
V
G
g
F
,
V
G
,
B
D
,
D
I
Figure 7. Transconductance Variation
with Drain Current
I
DS
, Drain-Source Current (A)
Figure 9. Gate Charge
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 10. Maximum Safe
Operating Area
V
DS
, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
V
SD
, Body Diode Forward Voltage (V)
Tj, Junction Temperature ( C)
Tj, Junction Temperature ( C)
I
D
,
4
1.60
1.40
1.20
1.00
0.60
0.80
0.40
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250
A
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
I
D
=250
A
10
8
6
4
12
0
0
2
4
6
8
10
2
V
DS
=10V
2
10
0
2
4
6
8
0
3
6
9
12
V
DS
=15V
I
D
=4.8A
10
10
-2
10
10
1
0
-1
10
1
10
-2
10
0
10
-1
10
2
10
T
A
=25 C
Tj=150 C
Single Pulse
DC
1s
100ms
10ms
1ms
RDSON Lmt
CEG3456A
9
20
10
1
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CEG3456 | 30V N Channel MOS |
| CEG6946A | 20V N Channel MOS |
| CEK01N6 | 600V N Channel MOS |
| CELL-ARCHITECTURE | Microcontroller |
| CELL-LIBRARY | ASIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CEG-50C | 功能描述:TERM BOND 8-TERM 1.27MM 1=50PCS RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 配件 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* 其它名稱:Y92EEG18T |
| CEG6-1-51-25.0-01-V | 制造商:Sensata Technologies 功能描述:CEG6-1-51-25.0-01-V /Pole # 1 /Prod Family: 0217 |
| CEG6-1-52-14.0-01-V | 制造商:Sensata Technologies 功能描述:CEG6-1-52-14.0-01-V /Pole # 1 /Prod Family: 0217 |
| CEG6-1-52-14.0-A-01-V | 制造商:Sensata Technologies 功能描述:CEG6-1-52-14.0-A-01-V /Pole # 1 /Prod Family: 0217 |
| CEG6-1-52-30.0-01-V | 制造商:Sensata Technologies 功能描述:Circuit Breaker Magnetic Circuit Protectors 1Pole 30A 80VDC |
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