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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CEB07N8 |
| 英文描述： | 800V N Channel MOS |
| 中文描述： | 800V的?頻道馬鞍山 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | CEB07N8 |
4-26
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
t
V
V
t
t
d(on)
OUT
IN
on
r
10%
t
d(off)
90%
10%
10%
50%
50%
90%
t
off
t
f
90%
PULSE WIDTH
INVERTED
T
Square Wave Pulse Duration (sec)
Figure 13. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
r
V
DD
R
D
V
V
R
S
V
G
GS
IN
GEN
OUT
L
V
G
,
Figure 9. Gate Charge
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 10. Maximum Safe
Operating Area
V
DS
, Drain-Source Voltage (V)
I
D
,
CEP07N8/CEB07N8
15
12
9
6
3
0
0
25
50
75
100
V
DS
=640V
I
D
=6A
P
DM
t
1
t
2
1. R
JC
(t)=r (t) * R
JC
2. R
JC
=See Datasheet
3. T
JM-
T
C
= P* R
JC
(t)
4. Duty Cycle, D=t1/t2
D=0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
10
10
10
1
0
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-2
10
-1
10
0
0.2
10
10
4
10
10
0
10
10
3
2
1
-1
0
10
1
T
C
=25 C
Tj=150 C
Single Pulse
DC
10m
1m
100
s
R
DS
(ON imt
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CEP07N8 | 800V N Channel MOS |
| CEB08N5 | 500V N Channel MOS |
| CEP08N5 | 500V N Channel MOS |
| CEB09N6 | 600V N Channel MOS |
| CEP09N6 | 600V N Channel MOS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CEB08N5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:500V N Channel MOS |
| CEB09N6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:600V N Channel MOS |
| CEB09N7A | 制造商:CET 制造商全稱(chēng):Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEB09N7G | 制造商:CET 制造商全稱(chēng):Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEB1012 | 制造商:CET 制造商全稱(chēng):Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Transistor |
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