參數(shù)資料
型號(hào)： CD4009UBMS
廠商： Intersil Corporation
英文描述： CMOS Hex Buffers/Converter(CMOS六緩沖器/變換器)
中文描述： 的CMOS六角緩沖器/轉(zhuǎn)換器的CMOS（六緩沖器/變換器）
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 74K
代理商： CD4009UBMS
4
Input Voltage High
VIH
VDD = 10V, VOH > 9V, VOL < 1V
1, 2
+25
o
C, +125
o
C, -
55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
8
-
V
Propagation Delay
TPHL
VDD = 10V, VCC = 10V
VDD = 15V, VCC = 15V
VDD = 10V, VCC = 10V
VDD = 15V, VCC = 15V
VDD = 10V, VCC = 5V
VDD = 15V, VCC = 5V
VDD = 10V, VCC = 5V
VDD = 15V, VCC = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
Any Input
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
30
80
60
30
20
70
60
40
30
150
110
22.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
Propagation Delay
TPLH
Propagation Delay
TPHL
Propagation Delay
TPLH
Transition Time
TTHL
Transition Time
TTLH
Input Capacitance
NOTES:
1. All voltages referenced to device GND.
2. The parameters listed on Table 3 are controlled via design or process and are not directly tested. These parameters are characterized on initial
design release and upon design changes which would affect these characteristics.
3. CL = 50pF, RL = 200K, Input TR, TF < 20ns.
CIN
TABLE 4. POST IRRADIATION ELECTRICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
NOTES
TEMPERATURE
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
LIMITS
UNITS
MIN
MAX
Supply Current
IDD
VDD = 20V, VIN = VDD or GND
1, 4
-
7.5
μ
A
N Threshold Voltage
VNTH
VDD = 10V, ISS = -10
μ
A
1, 4
-2.8
-0.2
V
N Threshold Voltage
Delta
VNTH
VDD = 10V, ISS = -10
μ
A
1, 4
-
±
1
V
P Threshold Voltage
VPTH
VSS = 0V, IDD = 10
μ
A
1, 4
+25
o
C
+25
o
C
0.2
2.8
V
P Threshold Voltage
Delta
VPTH
VSS = 0V, IDD = 10
μ
A
1, 4
-
±
1
V
Functional
F
VDD = 18V, VIN = VDD or GND
1
+25
o
C
VOH >
VDD/2
VOL <
VDD/2
V
VDD = 3V, VIN = VDD or GND
Propagation Delay Time
TPHL
TPLH
VDD = 5V, VCC = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
-
1.35 x
+25
o
C
Limit
ns
NOTES: 1. All voltages referenced to device GND.
2. CL = 50pF, RL = 200K, Input TR, TF < 20ns.
3. See Table 2 for +25
o
C limit.
4. Read and Record
TABLE 5. BURN-IN AND LIFE TEST DELTA PARAMETERS +25
O
C
PARAMETER
SYMBOL
DELTA LIMIT
Supply Current - MSI-1
IDD
±
0.2
μ
A
Output Current (Sink)
IOL5
±
20% x Pre-Test Reading
Output Current (Source)
IOH5A
±
20% x Pre-Test Reading
TABLE 3. ELECTRICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS (Continued)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
NOTES
TEMPERATURE
LIMITS
MIN
UNITS
MAX
CD4009UBMS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CD4009 CMOS HEX BUFFERS/CONVERTERS
CD4010 CMOS HEX BUFFERS/CONVERTERS
CD4009UBPW CMOS HEX BUFFERS/CONVERTERS
CD4009UBNSR CMOS HEX BUFFERS/CONVERTERS
CD4009UBM96 CMOS HEX BUFFERS/CONVERTERS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CD4009UBMT 功能描述:變換器 CMOS Hex Inverting Buffer/Converter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類(lèi)型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
CD4009UBMTE4 功能描述:變換器 CMOS Hex Inverting Buffer/Converter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類(lèi)型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
CD4009UBMTG4 功能描述:變換器 CMOS Hex Inverting Buffer/Converter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類(lèi)型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
CD4009UBNSR 功能描述:變換器 CMOS Hex Inverting Buffer/Converter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類(lèi)型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
CD4009UBNSRE4 功能描述:變換器 CMOS Hex Inverting Buffer/Converter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類(lèi)型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
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