參數(shù)資料
型號： CD3086
廠商： Intersil Corporation
英文描述： General Purpose NPN Transistor Array
中文描述： 通用NPN晶體管陣列
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 34K
代理商： CD3086
5-29
Low-Frequency, Small-Signal Equivalent-
Circuit Characteristics:
f = 1kHz,V
CE
= 3V, I
C
= 1mA
Forward Current-Transfer Ratio
(Figure 6)
h
FE
100
-
Short-Circuit Input Impedance
(Figure 6)
h
IE
3.5
k
Open-Circuit Output Impedance
(Figure 6)
h
OE
15.6
μ
S
Open-Circuit Reverse-Voltage
Transfer Ratio (Figure 6)
h
RE
1.8 X 10
-4
-
Admittance Characteristics:
f = 1MHz,V
CE
= 3V, l
C
= 1mA
Forward Transfer Admittance
(Figure 7)
y
FE
31 - j1.5
mS
Input Admittance (Figure 8)
y
IE
0.3 + j0.04
mS
Output Admittance (Figure 9)
y
OE
0.001 + j0.03
mS
Reverse Transfer Admittance
(Figure 10)
y
RE
See Figure 10
-
Gain-Bandwidth Product (Figure 11)
f
T
V
CE
= 3V, I
C
= 3mA
550
MHz
Emitter-to-Base Capacitance
C
EBO
V
EB
= 3V, I
E
= 0
0.6
pF
Collector-to-Base Capacitance
C
CBO
V
CB
= 3V, I
C
= 0
0.58
pF
Collector-to-Substrate Capacitance
C
ClO
V
C l
= 3V, I
C
= 0
2.8
pF
Electrical Specifications
T
A
= 25
o
C, Typical Values Intended Only for Design Guidance
(Continued)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
TYPICAL
VALUES
UNITS
Typical Performance Curves
FIGURE 1. I
CBO
vs TEMPERATURE
FIGURE 2. I
CEO
vs TEMPERATURE
10
2
10
-1
10
1
10
-2
10
-3
10
-4
C
0
25
50
75
100
125
TEMPERATURE (
o
C)
V
CB
= 15V
V
CB
= 10V
V
CB
= 5V
I
E
= 0
10
2
10
-1
10
1
10
-2
10
-3
C
0
25
50
75
100
125
TEMPERATURE (
o
C)
I
B
= 0
V
CE
= 10V
V
CE
= 5V
10
3
CA3086
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參數(shù)描述
CD30D22HF-100MC 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 950mA 313 mOhm Max Nonstandard 制造商:sumida america components inc. 系列:CD30D22 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:950mA 電流 - 飽和值:1.02A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:313 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.138" 長 x 0.118" 寬（3.50mm x 3.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CD30D22HF-101MC 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 2.79 Ohm Max Nonstandard 制造商:sumida america components inc. 系列:CD30D22 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:330mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.79 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.138" 長 x 0.118" 寬（3.50mm x 3.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
CD30D22HF-120MC 功能描述:12μH Unshielded Wirewound Inductor 910mA 338 mOhm Max Nonstandard 制造商:sumida america components inc. 系列:CD30D22 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:12μH 容差:±20% 額定電流:910mA 電流 - 飽和值:960mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:338 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.138" 長 x 0.118" 寬（3.50mm x 3.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
CD30D22HF-150MC 功能描述:15μH Unshielded Wirewound Inductor 830mA 388 mOhm Max Nonstandard 制造商:sumida america components inc. 系列:CD30D22 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:15μH 容差:±20% 額定電流:830mA 電流 - 飽和值:830mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:388 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.138" 長 x 0.118" 寬（3.50mm x 3.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
CD30D22HF-151MC 功能描述:150μH Unshielded Wirewound Inductor 220mA 4.62 Ohm Max Nonstandard 制造商:sumida america components inc. 系列:CD30D22 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150μH 容差:±20% 額定電流:220mA 電流 - 飽和值:260mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:4.62 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.138" 長 x 0.118" 寬（3.50mm x 3.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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