參數(shù)資料
型號： CD3086
廠商： Intersil Corporation
英文描述： General Purpose NPN Transistor Array
中文描述： 通用NPN晶體管陣列
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 34K
代理商： CD3086
5-28
Absolute Maximum Ratings
Thermal Information
The following ratings apply for each transistor in the device:
Collector-to-Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
Collector-to-Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Collector-to-Substrate Voltage, V
CIO
(Note 1) . . . . . . . . . . . . 20V
Emitter-to-Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, I
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50mA
Operating Conditions
Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C to 125
o
C
Thermal Resistance (Typical, Note 2)
CERDIP Package . . . . . . . . . . . . . . . .
PDIP Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
SOIC Package. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Power Dissipation (Any one transistor). . . . . . . . . 300mW
Maximum Junction Temperature (Hermetic Packages) . . . . . . . 175
o
C
Maximum Junction Temperature (Plastic Package) . . . . . . . . 150
o
C
Maximum Storage Temperature Range . . . . . . . . . -65
o
C to 150
o
C
Maximum Lead Temperature (Soldering 10s). . . . . . . . . . . . 300
o
C
(SOIC - Lead Tips Only)
θ
JA
(
o
C/W)
150
180
220
θ
JC
(
o
C/W)
75
N/A
N/A
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation
of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
NOTES:
1. The collector of each transistor in the CA3086 is isolated from the substrate by an integral diode. The substrate (Terminal 13) must be
connected to the most negative point in the external circuit to maintain isolation between transistors and to provide for normal transistor
action. To avoid undesirable coupling between transistors, the substrate (Terminal 13) should be maintained at either DC or signal (AC)
ground. A suitable bypass capacitor can be used to establish a signal ground.
2.
θ
JA
is measured with the component mounted on an evaluation PC board in free air.
Electrical Specifications
T
A
= 25
o
C, For Equipment Design
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
l
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
20
60
-
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
I
C
= 1mA, I
B
= 0
15
24
-
V
Collector-to-Substrate Breakdown Voltage
V
(BR)ClO
I
C
= 10
μ
A, I
CI
= 0
20
60
-
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
5
7
-
V
Collector-Cutoff Current (Figure 1)
I
CBO
V
CB
= 10V, I
E
= 0,
-
0.002
100
nA
Collector-Cutoff Current (Figure 2)
I
CEO
V
CE
= 10V, I
B
= 0,
-
(Figure 2)
5
μ
A
DC Forward-Current Transfer Ratio (Figure 3)
h
FE
V
CE
= 3V, I
C
= 1mA
40
100
-
Electrical Specifications
T
A
= 25
o
C, Typical Values Intended Only for Design Guidance
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
TYPICAL
VALUES
UNITS
DC Forward-Current Transfer Ratio
(Figure 3)
h
FE
V
CE
= 3V
I
C
= 10mA
100
I
C
= 10
μ
A
54
Base-to-Emitter Voltage (Figure 4)
V
BE
V
CE
= 3V
I
E
= 1 mA
0.715
V
I
E
= 10mA
0.800
V
V
BE
Temperature Coefficient (Figure 5)
V
BE
/
T
V
CE
= 3V, l
C
= 1 mA
-1.9
mV/
o
C
Collector-to-Emitter
Saturation Voltage
V
CE SAT
I
B
= 1mA, I
C
= 10mA
0.23
V
Noise Figure (Low Frequency)
NF
f = 1kHz, V
CE
= 3V, I
C
= 100
μ
A,
R
S
= 1k
3.25
dB
CA3086
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參數(shù)描述
CD30D22HF-100MC 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 950mA 313 mOhm Max Nonstandard 制造商:sumida america components inc. 系列:CD30D22 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:950mA 電流 - 飽和值:1.02A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:313 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.138" 長 x 0.118" 寬（3.50mm x 3.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm） 標準包裝:1
CD30D22HF-101MC 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 2.79 Ohm Max Nonstandard 制造商:sumida america components inc. 系列:CD30D22 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:330mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.79 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.138" 長 x 0.118" 寬（3.50mm x 3.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm） 標準包裝:3,000
CD30D22HF-120MC 功能描述:12μH Unshielded Wirewound Inductor 910mA 338 mOhm Max Nonstandard 制造商:sumida america components inc. 系列:CD30D22 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:12μH 容差:±20% 額定電流:910mA 電流 - 飽和值:960mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:338 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.138" 長 x 0.118" 寬（3.50mm x 3.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm） 標準包裝:3,000
CD30D22HF-150MC 功能描述:15μH Unshielded Wirewound Inductor 830mA 388 mOhm Max Nonstandard 制造商:sumida america components inc. 系列:CD30D22 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:15μH 容差:±20% 額定電流:830mA 電流 - 飽和值:830mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:388 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.138" 長 x 0.118" 寬（3.50mm x 3.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm） 標準包裝:3,000
CD30D22HF-151MC 功能描述:150μH Unshielded Wirewound Inductor 220mA 4.62 Ohm Max Nonstandard 制造商:sumida america components inc. 系列:CD30D22 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150μH 容差:±20% 額定電流:220mA 電流 - 飽和值:260mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:4.62 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.138" 長 x 0.118" 寬（3.50mm x 3.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm） 標準包裝:3,000
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