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參數(shù)資料
| 型號： | C67076-A2514-A67 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) |
| 中文描述： | IGBT功率模塊（功率模塊3相全橋包括快速滑行二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | C67076-A2514-A67 |
Semiconductor Group
6
Jan-10-1997
BSM 50 GD 120 DN2
Typ. gate charge
V
GE
=
(Q
Gate
)
parameter: I
C puls
= 50 A
0
40
80
120
160
200
240
280 nC 340
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
V
GE
800 V
600 V
Typ. capacitances
C= f (V
CE
)
parameter: V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
V
CE
40
-1
10
0
10
1
10
2
10
nF
C
Ciss
Coss
Crss
Reverse biased safe operating area
I
Cpuls
= f(V
CE
)
,
T
j
= 150°C
parameter: V
GE
= 15 V
0
200
400
600
800
1000 1200
V
V
CE
1600
0.0
0.5
1.0
1.5
2.5
I
Cpuls
/I
C
Short circuit safe operating area
I
Csc
= f(V
CE
) , T
j
= 150°C
parameter: V
GE
= ± 15 V, t
SC
≤
10 μs, L < 50 nH
0
200
400
600
800
1000 1200
V
V
CE
1600
0
2
4
6
8
12
I
Csc
/I
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C67076-A2515-A67 | IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) |
| C67078-A1611-A2 | main ratings |
| C67078-A1700-A2 | main ratings |
| C67078-A3101-A2 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode) |
| C67078-A3210-A2 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| C67076-A2515-A67 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) |
| C67076-S1013-A2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIMOPAC Module (Power module Single switch N channel Enhancement mode) |
| C67076-S1014-A2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIMOPAC Module (Power module Single switch N channel Enhancement mode) |
| C67076-S1018-A2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIMOPAC Module (Power module Single switch N channel Enhancement mode) |
| C67078-A1000-A2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:main ratings |
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