CSD16404Q5A

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功能描述
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

CSD16404Q5A 技術參數(shù)

CSD16403Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2660pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD16401Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4100pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD163CEVM-591 功能描述:TPS40304 NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態(tài):有效主要用途:DC/DC，步降輸出和類型:1，非隔離功率 - 輸出:- 電壓 - 輸出:1.2V 電流 - 輸出:25A 電壓 - 輸入:8 V ~ 14 V 穩(wěn)壓器拓撲:降壓頻率 - 開關:600kHz 板類型:完全填充所含物品:板使用的 IC/零件:TPS40304 標準包裝:1 CSD16342Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 20A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1350pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD16340Q3T 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 25V 60A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:+10V，-8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 12.5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 20A，8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD16413Q5A CSD16414Q5 CSD16415Q5 CSD16415Q5T CSD16556Q5B CSD16570Q5B CSD16570Q5BT CSD17301Q5A CSD17302Q5A CSD17303Q5 CSD17304Q3 CSD17305Q5A CSD17306Q5A CSD17307Q5A CSD17308Q3 CSD17308Q3T CSD17309Q3 CSD17310Q5A