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CPH6354-TL-W

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CPH6354-TL-W
    CPH6354-TL-W

    CPH6354-TL-W

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室

  • 39800

  • ON

  • SOT23-6 CPH-6

  • 新年份

  • -

  • 一級代理全新原裝現貨特價！

  • CPH6354-TL-W
    CPH6354-TL-W

    CPH6354-TL-W

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • TY/臺灣半導體

  • SOT23-6

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • CPH6354-TL-W
    CPH6354-TL-W

    CPH6354-TL-W

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ON Semiconductor

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
CPH6354-TL-W PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 60V 4A CPH6
  • 制造商
  • on semiconductor
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 邏輯電平柵極，4V 驅動
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 4A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 100 毫歐 @ 2A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.6V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 14nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 600pF @ 20V
  • 功率 - 最大值
  • 1.6W
  • 工作溫度
  • 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
  • 供應商器件封裝
  • 6-CPH
  • 標準包裝
  • 3,000
CPH6354-TL-W 技術參數
  • CPH6354-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6350-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6350-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:* 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6350-P-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:* 零件狀態(tài):停產 標準包裝:3,000 CPH6347-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:860pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6443-TL-W CPH6444-TL-E CPH6444-TL-W CPH6445-TL-W CPH6501-TL-E CPH6531-TL-E CPH6532-TL-E CPH6538-TL-H CPH6539-TL-H CPH6615-TL-E CPH6616-TL-E CPH6635-TL-H CPH6636R-TL-W CPH6904-TL-E CPH-E13/7/4-1S-6P CPH-E19/8/5-1S-8PD-Z CPH-E19/8/5-2S-4P-C CPH-E20/10/6-1S-8P
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