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CPH-E13/7/4-1S-6P

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 1
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  • 功能描述
  • COIL FORMER HORIZONTAL
  • 制造商
  • ferroxcube
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 2,500
CPH-E13/7/4-1S-6P 技術(shù)參數(shù)
  • CPH6904-TL-E 功能描述:JFET 2 N-Channel (Dual) 20mA @ 5V 700mW Surface Mount 6-CPH 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:20mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6pF @ 5V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 功率 - 最大值:700mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH6636R-TL-W 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH6635-TL-H 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V，20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:400mA，1.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.7 歐姆 @ 80mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH6616-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.5A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:187pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPH6615-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A，1.8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:187pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPH-E55/28/21-1S-22P-Z CPH-E56/24/19-1S-12PD-Z CP-HRMJU.FLJC-1A CPHS-EP13-1S-10P-Z CPHS-EP13-2S-10P-Z CPH-U15/11/6-1S-4P CPH-U15/11/6-2S-4P CPH-U20/16/7-1S-4P CPI0805E3R3R-10 CPI0805E4R7R-10 CPI0805F2R2R-10 CPI0805G1R5R-10 CPI0805G1R8R-10 CPI0805H1R0R-10 CPI0805H1R2R-10 CPI0805IR82R-10 CPI0805JR47R-10 CPI0805JR68R-10
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