CPH6443-TL-W

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CPH6443-TL-W
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
TY/臺灣半導(dǎo)體
SOT23-6
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

CPH6443-TL-W
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
ON
TSOP-6
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

CPH6443-TL-W
中山市翔美達電子科技有限公司
中山市翔美達電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
6000
ON
SOP
22+
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公司全新原裝正品現(xiàn)貨

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功能描述
MOSFET N-CH 35V 6A CPH6
制造商
on semiconductor
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動
漏源極電壓（Vdss）
35V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
6A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
37 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.6V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
10nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
470pF @ 20V
功率 - 最大值
1.6W
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝
6-CPH
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

CPH6443-TL-W 技術(shù)參數(shù)

CPH6443-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 35V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):Not For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:35V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:470pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH6443-P-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 35V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購買時間 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH6442-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH6442-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Not For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPH6434-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 3A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:790pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPH6616-TL-E CPH6635-TL-H CPH6636R-TL-W CPH6904-TL-E CPH-E13/7/4-1S-6P CPH-E19/8/5-1S-8PD-Z CPH-E19/8/5-2S-4P-C CPH-E20/10/6-1S-8P CPH-E25/10/6-1S-10PD-C CPH-E25/13/7-1S-10P CPH-E30/15/7-1S-10P-C CPH-E32/16/9-1S-12P CPH-E34/14/9-1S-12PD-Z CPH-E42/21/15-1S-10P CPH-E55/28/21-1S-22P-Z CPH-E56/24/19-1S-12PD-Z CP-HRMJU.FLJC-1A CPHS-EP13-1S-10P-Z