參數(shù)資料
型號： BZX85B
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
中文描述： 硅外延平面的Z -二極管
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： BZX85B
BZX85B...
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
4 (5)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85607
Dimensions in mm
Cathode Identification
2.5 max.
0.85 max.
4.1 max.
26 min.
94 9368
technical drawings
according to DIN
specifications
Standard Glass Case
54 B 2 DIN 41880
JEDEC DO 41
Weight max. 0.3g
26 min.
相關PDF資料
PDF描述
BZX85B Silicon Epitaxial Planar Z-Diode(功率損耗1.3W的外延平面型齊納二極管)
BZX85C Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
BZX85C Silicon Epitaxial Planar Z-Diode(功率損耗1.3W的外延平面型齊納二極管)
BZY91C10 Zeners/Studs
BZY91C30R Zeners/Studs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BZX85B10 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85B10 R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 10V
BZX85B100 功能描述:穩(wěn)壓二極管 100 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85B100 R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 100V
BZX85B100-TAP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 100 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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