參數資料
型號： BZX85B
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
中文描述： 硅外延平面的Z -二極管
文件頁數： 2/5頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： BZX85B
BZX85B...
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
2 (5)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85607
Type
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PDF描述
BZX85B Silicon Epitaxial Planar Z-Diode(功率損耗1.3W的外延平面型齊納二極管)
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參數描述
BZX85B10 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85B10 R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 10V
BZX85B100 功能描述:穩(wěn)壓二極管 100 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85B100 R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 100V
BZX85B100-TAP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 100 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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