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參數資料
| 型號： | BZT52H-B11 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Single Zener diodes in a SOD123F package |
| 中文描述： | 11 V, 0.375 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 4/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | BZT52H-B11 |
BZT52H_SER
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 7 December 2010
4 of 13
NXP Semiconductors
BZT52H series
Single Zener diodes in a SOD123F package
7. Characteristics
Table 7.
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
V
F
forward voltage
[1]
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
Characteristics
Conditions
I
F
= 10 mA
Min
Typ
-
Max
0.9
Unit
V
[1]
-
Table 8.
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
BZT52H
-xxx
voltage
V
Z
(V);
I
Z
= 5 mA
Min
2V4
B
2.35
C
2.2
2V7
B
2.65
C
2.5
3V0
B
2.94
C
2.8
3V3
B
3.23
C
3.1
3V6
B
3.53
C
3.4
3V9
B
3.82
C
3.7
4V3
B
4.21
C
4.0
4V7
B
4.61
C
4.4
5V1
B
5.0
C
4.8
5V6
B
5.49
C
5.2
6V2
B
6.08
C
5.8
6V8
B
6.66
C
6.4
7V5
B
7.35
C
7.0
8V2
B
8.04
C
7.7
Characteristics per type; BZT52H-B2V4 to BZT52H-C24
Sel
Working
Maximum differential
resistance r
dif
(
Ω
)
Reverse
current I
R
(
μ
A)
Temperature
coefficient
S
Z
(mV/K);
I
Z
= 5 mA
Min
3.5
Diode
capacitance
C
d
(pF)
[1]
Non-repetitive
peak reverse
current
I
ZSM
(A)
[2]
Max
6.0
Max
2.45
2.6
2.75
2.9
3.06
3.2
3.37
3.5
3.67
3.8
3.98
4.1
4.39
4.6
4.79
5.0
5.2
5.4
5.71
6.0
6.32
6.6
6.94
7.2
7.65
7.9
8.36
8.7
I
Z
= 1 mA
400
I
Z
= 5 mA
85
Max
50
V
R
(V)
1
Max
0.0
Max
450
500
83
20
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
10
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
5
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
5
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
3
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
3
1
3.5
0.0
450
6.0
500
78
3
2
3.5
0.2
300
6.0
480
60
2
2
2.7
1.2
300
6.0
400
40
1
2
2.0
2.5
300
6.0
150
10
3
4
0.4
3.7
200
6.0
80
8
2
4
1.2
4.5
200
6.0
80
10
1
5
2.5
5.3
150
4.0
80
10
0.7
5
3.2
6.2
150
4.0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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