參數(shù)資料
型號(hào)： BYV32EB-200
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： Dual ultrafast power diode
封裝： BYV32EB-200<SOT404 (D2PAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT404.html<1<week 1, 2005,;
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 134K
代理商： BYV32EB-200
BYV32EB-200_4
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 2 March 2009
3 of 9
NXP Semiconductors
BYV32EB-200
Dual rugged ultrafast rectifier diode, 20 A, 200 V
4.
Limiting values
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
RRM
Parameter
repetitive peak reverse
voltage
crest working reverse
voltage
reverse voltage
average output current
Conditions
Min
-
Max
200
Unit
V
V
RWM
-
200
V
V
R
I
O(AV)
DC
square-wave pulse;
δ
= 0.5; T
mb
≤
115 °C; both
diodes conducting; see
Figure 1
; see
Figure 2
δ
= 0.5; t
p
= 25 μs; T
mb
≤
115 °C; per diode
-
-
200
20
V
A
I
FRM
repetitive peak forward
current
non-repetitive peak
forward current
-
20
A
I
FSM
t
p
= 8.3 ms; sine-wave pulse; T
j(init)
= 25 °C; per
diode
t
p
= 10 ms; sine-wave pulse; T
j(init)
= 25 °C; per
diode
δ
= 0.001; t
p
= 2 μs
-
137
A
-
125
A
I
RRM
repetitive peak reverse
current
non-repetitive peak
reverse current
storage temperature
junction temperature
electrostatic discharge
voltage
-
0.2
A
I
RSM
t
p
= 100 μs
-
0.2
A
T
stg
T
j
V
ESD
-40
-
-
150
150
8
°C
°C
kV
HBM; C = 250 pF; R = 1.5 k
; all pins
Fig 1.
Forward power dissipation as a function of
average forward current; sinusoidal waveform;
maximum values
Fig 2.
Forward power dissipation as a function of
average forward current; square waveform;
maximum values
0
12
8
4
003aac978
4
8
12
0
1.9
a = 1.57
2.2
2.8
4.0
I
F(AV)
(A)
P
tot
(W)
0
15
10
5
003aac979
5
10
15
0
0.5
0.2
0.1
I
F(AV)
(A)
P
tot
(W)
δ
= 1
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