參數(shù)資料
型號： BYV29G-600
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Ultrafast power diode
中文描述： 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
封裝： PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 158K
代理商： BYV29G-600
BYV29G-600_1
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 4 February 2010
5 of 11
NXP Semiconductors
BYV29G-600
Ultrafast rectifier diode
6.
Characteristics
Table 6.
Symbol
Static characteristics
V
F
Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
forward voltage
I
F
= 8 A; T
j
= 25 °C; see
Figure 4
I
F
= 20 A; T
j
= 25 °C; see
Figure 4
I
F
= 8 A; T
j
= 150 °C; see
Figure 4
V
R
= 600 V
V
R
= 600 V; T
j
= 100 °C
-
-
-
-
-
1.12
1.31
0.97
2
0.1
1.25
1.45
1.11
50
0.35
V
V
V
μA
mA
I
R
reverse current
Dynamic characteristics
Q
r
recovered charge
I
F
= 2 A; V
R
= 30 V; dI
F
/dt = 20 A/μs;
see
Figure 5
I
F
= 1 A; V
R
= 30 V; dI
F
/dt = 100 A/μs;
T
j
= 25 °C; see
Figure 5
-
40
70
nC
t
rr
reverse recovery time
-
50
60
ns
I
RM
peak reverse recovery current I
F
= 10 A; V
R
= 30 V; dI
F
/dt = 50 A/μs;
see
Figure 5
forward recovery voltage
I
F
= 10 A; dI
F
/dt = 10 A/μs; see
Figure 6
-
3
5.5
A
V
FR
-
3.2
-
V
Fig 4.
Forward current as a function of forward
voltage
Fig 5.
Reverse recovery definitions; ramp recovery
003aab482
0
5
10
15
20
25
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
I
F
(A)
(1)
(2)
(3)
003aac562
t
rr
time
100 %
25 %
I
F
dl
F
dt
I
R
I
RM
Q
r
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BYV29X-500 Ultrafast power diode
BYV29X-600 Ultrafast power diode
BYV3250XM HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV32-50-XTM HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV32-150-XTM HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BYV29G-600,127 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 600V 9A Diode Fast Recovery Rect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BYV29G-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK（TO-262） 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
BYV29PB-600 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Power Product Selection Guide
BYV29PD-600 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Power Product Selection Guide
BYV29PG-600 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Power Product Selection Guide
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*