參數(shù)資料
型號： BYV29G-600
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Ultrafast power diode
中文描述： 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
封裝： PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 158K
代理商： BYV29G-600
BYV29G-600_1
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 4 February 2010
2 of 11
NXP Semiconductors
BYV29G-600
Ultrafast rectifier diode
2.
Pinning information
3.
Ordering information
4.
Limiting values
Table 2.
Pin
1
2
3
mb
Pinning information
Symbol
Description
n.c.
no connection
K
cathode
A
anode
K
mounting base; cathode
Simplified outline
Graphic symbol
SOT226A (I2PAK)
1
2
3
003aad550
2
1
3
Table 3.
Type number
Ordering information
Package
Name
I2PAK
Description
plastic single-ended package (I2PAK); TO-262
Version
SOT226A
BYV29G-600
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
RRM
Parameter
repetitive peak reverse
voltage
crest working reverse
voltage
reverse voltage
average forward
current
non-repetitive peak
forward current
Conditions
Min
-
Max
600
Unit
V
V
RWM
-
600
V
V
R
I
F(AV)
DC
square-wave pulse;
δ
= 0.5; T
mb
≤
123 °C; see
Figure 1
and
2
t
p
= 8.3 ms; sine-wave pulse; T
j(init)
= 25 °C
t
p
= 10 ms; sine-wave pulse; T
j(init)
= 25 °C
-
-
600
9
V
A
I
FSM
-
-
-40
-
-
77
70
150
150
18
A
A
°C
°C
A
T
stg
T
j
I
FRM
storage temperature
junction temperature
repetitive peak forward
current
t
p
= 25 μs;
δ
= 0.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BYV29X-500 Ultrafast power diode
BYV29X-600 Ultrafast power diode
BYV3250XM HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV32-50-XTM HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV32-150-XTM HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS
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參數(shù)描述
BYV29G-600,127 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 600V 9A Diode Fast Recovery Rect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BYV29G-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK（TO-262） 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標準包裝:1,000
BYV29PB-600 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Power Product Selection Guide
BYV29PD-600 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Power Product Selection Guide
BYV29PG-600 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Power Product Selection Guide
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