參數(shù)資料
型號(hào): BYV29FX-600
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi): 參考電壓二極管
英文描述: Enhanced ultrafast power diode
中文描述: 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220
封裝: PLASTIC, TO-220, FULL PACK-2
文件頁(yè)數(shù): 5/11頁(yè)
文件大?。?/td> 308K
代理商: BYV29FX-600
BYV29FX-600
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Product data sheet
Rev. 04 — 7 March 2011
5 of 11
NXP Semiconductors
BYV29FX-600
Enhanced ultrafast power diode
7.
Characteristics
Table 7.
Symbol
Static characteristics
V
F
Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
forward voltage
I
F
= 8 A; T
j
= 25 °C; see
Figure 5
I
F
= 8 A; T
j
= 150 °C; see
Figure 5
V
R
= 600 V; T
j
= 100 °C
V
R
= 600 V; T
j
= 25 °C
-
-
-
-
1.45
1.25
-
-
1.9
1.7
1.5
50
V
V
mA
μA
I
R
reverse current
Dynamic characteristics
Q
r
recovered charge
I
F
= 1 A; V
R
= 30 V; dI
F
/dt = 100 A/μs;
see
Figure 6
I
F
= 1 A; V
R
= 30 V; dI
F
/dt = 100 A/μs;
T
j
= 25 °C; see
Figure 6
I
F
= 1 A; V
R
= 30 V; dI
F
/dt = 100 A/μs;
see
Figure 6
I
F
= 1 A; dI
F
/dt = 100 A/μs; see
Figure 7
-
13
-
nC
t
rr
reverse recovery time
-
17.5
35
ns
I
RM
peak reverse recovery
current
forward recovery
voltage
-
1.5
-
A
V
FRM
-
3.2
-
V
Fig 5.
Forward current as a function of forward
voltage
Fig 6.
Reverse recovery definitions; ramp recovery
003aad323
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
V
F
(V)
I
F
(A)
(1)
(2)
(3)
003aac562
t
rr
time
100 %
25 %
I
F
dl
F
dt
I
R
I
RM
Q
r
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BYV29G-600 Ultrafast power diode
BYV29X-500 Ultrafast power diode
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參數(shù)描述
BYV29FX-600,127 功能描述:二極管 - 通用,功率,開(kāi)關(guān) DIODE RECT UFAST 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BYV29FX-600127 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BYV29G-600 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE REC UFAST 600V 9A SOT226A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, REC, UFAST, 600V, 9A, SOT226A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, REC, UFAST, 600V, 9A, SOT226A, Diode Type:Fast Recovery, Diode Configuration:Single, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V, Forward Current If(AV):9A, Forward Voltage VF Max:1.25V, Reverse Recovery Time trr Max:60ns, MSL:- , RoHS Compliant: Yes
BYV29G-600,127 功能描述:二極管 - 通用,功率,開(kāi)關(guān) 600V 9A Diode Fast Recovery Rect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BYV29G-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):9A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):75ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK(TO-262) 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000