參數(shù)資料
型號： BYV29FX-600
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Enhanced ultrafast power diode
中文描述： 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220
封裝： PLASTIC, TO-220, FULL PACK-2
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 308K
代理商： BYV29FX-600
BYV29FX-600
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Product data sheet
Rev. 04 — 7 March 2011
2 of 11
NXP Semiconductors
BYV29FX-600
Enhanced ultrafast power diode
2.
Pinning information
3.
Ordering information
4.
Limiting values
Table 2.
Pin
1
2
mb
Pinning information
Symbol
Description
K
cathode
A
anode
n.c.
mounting base; isolated
Simplified outline
Graphic symbol
SOD113 (TO-220F)
2
1
mb
A
001aaa020
K
Table 3.
Type number
Ordering information
Package
Name
TO-220F
Description
plastic single-ended package; isolated heatsink mounted; 1
mounting hole; 2-lead TO-220 "full pack"
Version
SOD113
BYV29FX-600
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F(AV)
Parameter
repetitive peak reverse voltage
crest working reverse voltage
reverse voltage
average forward current
Conditions
Min
-
-
-
-
Max
600
600
600
9
Unit
V
V
V
A
DC
square-wave pulse;
δ
= 0.5; T
h
≤
72 °C;
see
Figure 1
; see
Figure 2
square-wave pulse;
δ
= 0.5; t
p
= 25 μs;
T
h
≤
72 °C
t
p
= 10 ms; sine-wave pulse;
T
j(init)
= 25 °C; see
Figure 3
t
p
= 8.3 ms; sine-wave pulse;
T
j(init)
= 25 °C; see
Figure 3
I
FRM
repetitive peak forward current
-
18
A
I
FSM
non-repetitive peak forward
current
-
91
A
-
100
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BYV29G-600 Ultrafast power diode
BYV29X-500 Ultrafast power diode
BYV29X-600 Ultrafast power diode
BYV3250XM HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV32-50-XTM HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS
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參數(shù)描述
BYV29FX-600,127 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) DIODE RECT UFAST 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BYV29FX-600127 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BYV29G-600 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE REC UFAST 600V 9A SOT226A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, REC, UFAST, 600V, 9A, SOT226A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, REC, UFAST, 600V, 9A, SOT226A, Diode Type:Fast Recovery, Diode Configuration:Single, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V, Forward Current If(AV):9A, Forward Voltage VF Max:1.25V, Reverse Recovery Time trr Max:60ns, MSL:- , RoHS Compliant: Yes
BYV29G-600,127 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 600V 9A Diode Fast Recovery Rect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BYV29G-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK（TO-262） 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
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