參數(shù)資料
型號： BYR29X-600
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Ultrafast power diode
封裝： BYR29X-600<SOD113 (SOD113)|<<http://www.nxp.com/packages/SOD113.html<1<week 32, 2004,;
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大小： 164K
代理商： BYR29X-600
BYR29X-600
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Product data sheet
Rev. 02 — 15 July 2010
9 of 12
NXP Semiconductors
BYR29X-600
Ultrafast power diode
9.
Revision history
Table 8.
Document ID
BYR29X-600 v.2
Modifications:
Revision history
Release date
20100715
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NXP Semiconductors.
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20030926
Product data
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BYR29X-600 v.1
BYR29X-600 v.1
(9397 750 12006)
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BYR29X-800 Ultrafast power diode
BYS11-90 Schottky Barrier Rectifier
BYS1190 Schottky Barrier Rectifier
BYS12-90 Schottky Barrier Rectifier
BYS1290 Schottky Barrier Rectifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BYR29X-600,127 功能描述:整流器 EPI RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
BYR29X-800,127 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Ultrafast Recovery Diodes 800V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BYR29X-800PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.7V @ 8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
BYR30-25T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY-DUAL DIODES
BYR30-35T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY-DUAL DIODES
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