| 型號: | BYR29X-600 | 
| 廠商: | NXP Semiconductors N.V. | 
| 元件分類: | 參考電壓二極管 | 
| 英文描述: | Ultrafast power diode | 
| 封裝: | BYR29X-600<SOD113 (SOD113)|<<http://www.nxp.com/packages/SOD113.html<1<week 32, 2004,; | 
| 文件頁數(shù): | 12/12頁 | 
| 文件大?。?/td> | 164K | 
| 代理商: | BYR29X-600 | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| BYR29X-800 | Ultrafast power diode | 
| BYS11-90 | Schottky Barrier Rectifier | 
| BYS1190 | Schottky Barrier Rectifier | 
| BYS12-90 | Schottky Barrier Rectifier | 
| BYS1290 | Schottky Barrier Rectifier | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| BYR29X-600,127 | 功能描述:整流器 EPI RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel | 
| BYR29X-800,127 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) Ultrafast Recovery Diodes 800V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube | 
| BYR29X-800PQ | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.7V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 整包 供應商器件封裝:TO-220F 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標準包裝:1,000 | 
| BYR30-25T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY-DUAL DIODES | 
| BYR30-35T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY-DUAL DIODES |