參數(shù)資料
型號(hào)： BYQ28E-200
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Dual ultrafast power diode
封裝： BYQ28E-200<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,;BYQ28E-200/H<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<,;
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代理商： BYQ28E-200
BYQ28_SER_E_ED_4
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 5 December 2007
3 of 10
NXP Semiconductors
BYQ28 series E and ED
Rectifier diodes ultrafast, rugged
5.
Thermal characteristics
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
Table 4.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to
mounting base
Conditions
with heatsink compound;
per diode; see
Figure 1
with heatsink compound;
both diodes conducting
Min
-
Typ
-
Max
4.5
Unit
K/W
-
-
3
K/W
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient in free air; SOT78
-
60
50
-
-
K/W
K/W
SOT428
[1]
-
Fig 1.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse width
001aag979
10
1
10
2
1
10
Z
th(j-mb)
(K/W)
10
3
t
p
(s)
10
6
1
10
10
1
10
2
10
5
10
3
10
4
t
p
t
p
T
T
P
t
δ
=
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PDF描述
BYQ28X-200 Dual ultrafast power diode
BYQ30E-200 Dual ultrafast power diode
BYR29-600 Ultrafast power diode
BYR29X-600 Ultrafast power diode
BYR29X-800 Ultrafast power diode
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參數(shù)描述
BYQ28E-200,127 功能描述:整流器 RAIL REC-EPI RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
BYQ28E-200/45 功能描述:整流器 200 Volt 10A 20ns Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
BYQ28E-200/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DIODE ULTRA FAST DUAL
BYQ28E-200/H,127 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Dual rugged ultra fast rectifier diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BYQ28E-200/H127 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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