參數(shù)資料
型號(hào)： BYM56C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Controlled avalanche rectifiers
中文描述： 1.4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商： BYM56C
1996 May 24
4
Philips Semiconductors
Product specification
Controlled avalanche rectifiers
BYM56 series
GRAPHICAL DATA
Fig.2
Maximum permissible average forward
current as a function of tie-point temperature
(including losses due to reverse leakage).
a = 1.57; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
Lead length 10 mm.
handbook, halfpage
(A)
0
200
0
1.0
MBG037
2.0
3.0
4.0
40
80
120
160
Ttp (
o
C)
Fig.3
Maximum permissible average forward
current as a function of ambient temperature
(including losses due to reverse leakage).
a = 1.57; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
Device mounted as shown in Fig.9.
handbook, halfpage
(A)
0
200
0
0.4
MBG058
0.8
1.2
1.6
40
80
120
160
Tamb (
o
C)
Fig.4
Maximum steady state power dissipation
(forward plus leakage current losses,
excluding switching losses) as a function
of average forward current.
a = I
F(RMS)
/I
F(AV)
; V
R
= V
RRMmax
;
δ
= 0.5.
handbook, halfpage
P
(W)
0
1
2
4
0
4
MGC746
3
3
2
1
2.5
2
IF(AV) (A)
1.42
a = 3
1.57
Solid line = V
R
.
Dotted line = V
RRM
;
δ
= 0.5.
Fig.5
Maximum permissible junction temperature
as a function of reverse voltage.
handbook, halfpage
0
400
1200
0
MSA873
800
100
VR
A
B
C
D
E
Tj
(
°
C)
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PDF描述
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BYM56E Controlled avalanche rectifiers
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參數(shù)描述
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BYM600A170DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-2 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 功率 - 最大值:1400W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:- 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
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