參數(shù)資料
型號： BYC8B-600
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Hyperfast power diode
封裝： BYC8B-600<SOT404 (D2PAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT404.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： BYC8B-600
Semiconductors
Product specification
Rectifier diode
ultrafast, low switching loss
BYC8B-600
FEATURES
SYMBOL
QUICK REFERENCE DATA
Extremely fast switching
Low reverse recovery current
Low thermal resistance
Reduces switching losses in
associated MOSFET
V
R
= 600 V
V
F
≤
1.85 V
I
F(AV)
= 8 A
t
rr
= 19 ns (typ)
APPLICATIONS
PINNING
SOT404
Active power factor correction
Half-bridge lighting ballasts
Half-bridge/ full-bridge switched
mode power supplies.
PIN
DESCRIPTION
1
no connection
2
cathode
1
The BYC8B-600 is supplied in the
SOT404 surface mounting
package.
3
anode
tab
cathode
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F(AV)
Peak repetitive reverse voltage
Crest working reverse voltage
Continuous reverse voltage
Average forward current
-
-
-
-
600
600
500
8
V
V
V
A
T
≤
110 C
δ
= 0.5; with reapplied V
RRM(max)
;
T
≤
82 C
I
FRM
Repetitive peak forward current
δ
= 0.5; with reapplied V
RRM(max)
;
-
16
A
T
≤
82 C
t = 10 ms
t = 8.3 ms
sinusoidal; T
= 150C prior to surge
with reapplied V
RWM(max)
I
FSM
Non-repetitive peak forward
current.
-
-
55
60
A
A
T
stg
T
j
Storage temperature
Operating junction temperature
-40
-
150
150
C
C
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
R
th j-mb
Thermal resistance junction to
mounting base
Thermal resistance junction to
ambient
-
-
2.2
K/W
R
th j-a
minimum footprint, FR4 board
-
50
-
K/W
k
a
3
tab
1
3
tab
2
1
it is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package
March 2001
1
Rev 1.400
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BYC8B-600PJ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:3.4V @ 8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:18ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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BYC8D-600 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE HYPERFAST 8A 600V TO220AC 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, HYPERFAST, 8A, 600V, TO220AC 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, HYPERFAST, 8A, 600V, TO220AC, Diode Type:Fast Recovery, Diode Configurati 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, HYPERFAST, 8A, 600V, TO220AC, Diode Type:Fast Recovery, Diode Configuration:Single, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V, Forward Current If(AV):8A, Forward Voltage VF Max:2.9V, Reverse Recovery Time trr Max:40ns, MSL:- , RoHS Compliant: Yes
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