參數(shù)資料
型號： BYC10B-600
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Hyperfast power diode
封裝： BYC10B-600<SOT404 (D2PAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT404.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 115K
代理商： BYC10B-600
Semiconductors
Product specification
Rectifier diode
ultrafast, low switching loss
BYC10B-600
Fig.9. Definition of reverse recovery parameters t
rr
, I
rrm
Fig.10. Typical forward recovery voltage, V
as a
function of rate of change of current dI
F
/dt.
Fig.11. Definition of forward recovery voltage V
fr
Fig.12. Typical and maximum forward characteristic
I
F
= f(V
F
); T
j
= 25C and 150C.
Fig.13. Typical reverse leakage current as a function
of reverse voltage. I
R
= f(V
R
); parameter T
j
Fig.14. Maximum thermal impedance Z
th j-mb
as a
function of pulse width.
Qs
100%
10%
time
dI
dt
F
IR
IF
Irrm
trr
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
BYC10-600
Forward voltage, VF (V)
Forward current, IF (A)
max
typ
Tj = 25 C
Tj = 150 C
0
50
100
150
200
0
5
10
15
20
BYC10-600
Tj = 25 C
IF = 10 A
Rate of change of current, dIF/dt (A/ s)
Peak forward recovery voltage, Vfr (V)
typ
0
100
200
300
400
500
600
BYC10-600
1uA
10uA
100uA
1mA
10mA
100mAReverse leakage current (A)
Reverse voltage (V)
Tj = 125 C
100 C
75 C
50 C
25 C
time
time
VF
Vfr
VF
IF
1us
10us
100us
1ms
10ms
100ms
1s
10s
0.001
0.01
0.1
1
10
BYV79E
pulse width, tp (s)
Transient thermal impedance, Zth j-mb (K/W)
D =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
March 2001
4
Rev 1.400
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PDF描述
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參數(shù)描述
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