參數(shù)資料
型號: BUX85
廠商: MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP.
英文描述: POWER TRANSISTORS(2A,400-450V,40W)
中文描述: 功率晶體管(甲,400 - 450V,功率40W)
文件頁數(shù): 7/12頁
文件大?。?/td> 94K
代理商: BUX85
1997 Aug 13
7
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUX84; BUX85
Fig.6 Transient thermal impedance.
handbook, full pagewidth
MGB863
10
1
10
2
10
3
10
2
10
1
1
10
tp (ms)
10
2
10
3
1
Zth j
mb
(K/W)
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
0.75
0.50
0.33
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0
δ
= 1
Fig.7 Collector-emitter saturation voltage as a function of base current; typical values.
handbook, full pagewidth
0.3
IB (A)
(1)
3
0
0
VCEsat
(V)
0.05
0.25
MGB908
2
1
0.2
0.1
0.15
(2)
(3)
(4)
(1) I
C
= 0.3 A.
(2) I
C
= 0.5 A.
(3) I
C
= 0.7 A.
(4) I
C
= 1 A.
T
j
= 25
°
C; solid line: typical values; dotted line: maximum values.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUX86P Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
BUX87P Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
BUX88 QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
BUXD87-1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-251
BUXD87T4 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-252
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUX85,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUX85/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUX85 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220AB
BUX85/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR
BUX85/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SWITCHMODE NPN Silicon Power Transistors
BUX85F 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors