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參數(shù)資料
| 型號： | BUV50 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | High Power NPN Silicon Transistor(高功率NPN硅晶體管) |
| 中文描述： | 高功率NPN硅晶體管（高功率npn型硅晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | BUV50 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
TURN-OFF SWITCHING CHARACTERISTICS
On InductiveLoad
(with negativebias)
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
si
T
j
= 25
o
C
T
j
= 100
o
C
T
j
= 25
o
C
T
j
= 100
o
C
T
j
= 25
o
C
T
j
= 100
o
C
T
j
= 25
o
C
T
j
= 100
o
C
I
C
= 20A I
B
= 2A
V
BB
= - 5V
V
CC
= 100V
V
CLAMP
= 125V
L
C
= 0.25 mH
R
B2
= 1.3
0.85
1.4
μ
s
1.2
1.7
t
fi
0.09
0.2
0.17
0.3
t
ti
0.04
0.05
0.07
0.1
t
c
0.16
0.3
0.3
0.5
TURN-OFF SWITCHING CHARACTERISTICS
On InductiveLoad
(withoutnegative bias)
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
si
T
j
= 25
o
C
T
j
= 100
o
C
T
j
= 25
o
C
T
j
= 100
o
C
T
j
= 25
o
C
T
j
= 100
o
C
I
C
= 20A
I
B
= 2A
V
BB
= 0
V
CC
= 100V
V
CLAMP
= 125V
L
C
= 0.25 mH
R
B2
= 4.7
2.1
μ
s
3.2
t
fi
0.7
1.2
t
ti
0.28
0.55
*
Pulsed :Duration = 300ms,Duty Cycle = 2 %
Figure 1 :
Switching Times Test Circuit (resistive load)
(1) Fast-switching
(2) Non-Inductive resistor
BUV50
3/5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUY49S | Silicon NPN Transistor(硅NPN晶體管) |
| BUZ11A | N-Channel 50V-0.045Ω-26A -TO-220 STripFETTM Power MOSFET(功率MOSFET) |
| BX2606LNL | BROADBAND ACCESS: xDSL, HPN, CMCs |
| BX1196L | BROADBAND ACCESS: xDSL, HPN, CMCs |
| BX2128 | BROADBAND ACCESS: xDSL, HPN, CMCs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUV51 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
| BUV52 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3 |
| BUV52A | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:FAST SWITCHING POWER TRANSISTOR |
| BUV56 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220 |
| BUV60 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device |
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