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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUV21 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | High Current NPN Silicon Transistors(高電流NPN硅晶體管) |
| 中文描述： | 大電流NPN硅晶體管（高電流npn型硅晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | BUV21 |
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case Max
0.7
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEX
Collector Cut-off
Current (VBE = -1.5V)
V
CE
= V
CEX
for
BUV20
for
BUV21
at T
case
= 125
o
C
for
BUV20
for
BUV21
3
3
12
12
mA
mA
mA
mA
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining
Voltage (I
B
= 0)
V
(BR)EB0
Emitter-base
Breakdown
Voltage (I
c
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
for
BUV20
V
CE
= 100 V
for
BUV21
V
CE
= 160 V
V
EB
= 5 V
3
3
mA
mA
I
EBO
1
mA
I
C
= 200 mA L = 25 mH
for
BUV20
for
BUV21
125
200
V
V
I
E
= 50 mA
7
V
for
BUV20
I
C
= 25 A I
B
= 2.5 A
I
C
= 50 A I
B
= 5 A
for
BUV21
I
C
= 12 A I
B
= 1.2 A
I
C
= 25 A I
B
= 3 A
for
BUV20
I
C
= 50 A I
B
= 5 A
for
BUV21
I
C
= 25 A I
B
= 3 A
0.3
0.7
0.2
0.9
0.6
1.2
0.6
1.5
V
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
1.4
1.2
2
1.5
V
V
h
FE
DC Current Gain
for
BUV20
V
CE
= 2 V I
C
= 25 A
V
CE
= 4 V I
C
= 50 A
for
BUV21
V
CE
= 2 V I
C
= 12 A
V
CE
= 4 V I
C
= 25 A
20
10
20
10
60
60
f
T
t
on
Transition frequency
V
CE
= 15 V I
C
= 2 A f = 100 MHz
for
BUV20
I
C
= 50 A I
B
= 5 A
for
BUV21
I
C
= 25 A I
B
= 3 A
8
MHz
μ
s
μ
s
Turn-on Time
1.5
1.2
t
f
Fall time
for
BUV20
I
C
= 50 A I
B1
= - I
B2
= 5 A
for
BUV21
I
C
= 25 A I
B1
= - I
B2
= 3 A
0.3
0.4
μ
s
μ
s
t
S
Storage Time
for
BUV20
I
C
= 50 A I
B1
= - I
B2
= 5 A
for
BUV21
I
C
= 25 A I
B1
= - I
B2
= 3 A
1.2
1.8
μ
s
μ
s
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
BUV20 / BUV21
2/4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUV21/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor |
| BUV21_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor |
| BUV21G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40A 200V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUV21N | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
| BUV22 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40A 250V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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