| 型號(hào): | BUT12AF | 
| 廠商: | NXP SEMICONDUCTORS | 
| 元件分類: | 功率晶體管 | 
| 英文描述: | Silicon diffused power transistors | 
| 中文描述: | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 | 
| 封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 | 
| 文件頁數(shù): | 11/12頁 | 
| 文件大?。?/td> | 78K | 
| 代理商: | BUT12AF | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| BUT12AF | SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) | 
| BUT14 | 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface | 
| BUT15 | 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface | 
| BUT230F | 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface | 
| BUT230V | 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| BUT12AI | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor | 
| BUT12AI,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT12AI/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| BUT12ATU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| BUT12AX | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors | 
| BUT12AX,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT12AX/SOT186A/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |