參數(shù)資料
型號(hào)： BUR50S
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package.
中文描述： 70 A, 125 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
封裝： HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 10K
代理商： BUR50S
BUR50S
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
CEO
*
125
V
I
C(CONT)
70
A
h
FE
@ 50/4 (V
CE
/ I
C
)
15
-
f
t
16M
Hz
P
D
350
W
* Maximum Working Voltage
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sales@semelab.co.uk
.
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Generated
1-Aug-02
TO3 (TO204AE)
PINOUTS
1 – Base
2 – Emitter
Case - Collector
Bipolar NPN Device in a
Hermetically sealed TO3
Metal Package.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Dimensions in mm (inches).
1
2
(c3
25.15 (0.99)
10.67 (0.42)
3
3
2
3
1
1
3.84 (0.151)
1
1
7.92 (0.312)
2
(
m
6.35 (0.25)
1.52 (0.06)
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PDF描述
BUS11A Bipolar NPN Device
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參數(shù)描述
BUR51 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Current RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUR51S 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
BUR52 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY STM 08/01 TO-3 NPN PWR DARL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUR52_12 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS
BUR52S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN
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