參數(shù)資料
型號： BUR50S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Current NPN Silicon Transistor(高電流NPN硅晶體管)
中文描述： 大電流NPN硅晶體管（高電流npn型硅晶體管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： BUR50S
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
11.00
13.10
0.433
0.516
B
0.97
1.15
0.038
0.045
C
1.50
1.65
0.059
0.065
D
8.32
8.92
0.327
0.351
E
19.00
20.00
0.748
0.787
G
10.70
11.10
0.421
0.437
N
16.50
17.20
0.649
0.677
P
25.00
26.00
0.984
1.023
R
4.00
4.09
0.157
0.161
U
38.50
39.30
1.515
1.547
V
30.00
30.30
1.187
1.193
E
B
R
C
D
A
P
G
N
V
U
O
P003F
TO-3 MECHANICAL DATA
BUR50S
3/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUR51 High Current NPN Silicon Transistor(高電流NPN硅晶體管)
BUR52 High Current NPN Silicon Transistor(高電流NPN硅晶體管)
BUV21 High Current NPN Silicon Transistors(高電流NPN硅晶體管)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUR51 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Current RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUR51S 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
BUR52 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY STM 08/01 TO-3 NPN PWR DARL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUR52_12 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS
BUR52S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN
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