| 型號(hào): | BUP59 |
| 英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3 |
| 中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 60V的五(巴西)總裁| 30A條一(c)|至3 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商: | BUP59 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUR11 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE |
| BUR12 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AA |
| BUR13 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 125V V(BR)CEO | 70A I(C) | TO-210AE |
| BUL52A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220 |
| BUL52 | ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUP60 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 370V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-3 |
| BUP602D | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode) |
| BUP603D | 制造商:Siemens 功能描述:42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-218 |
| BUP604 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated) |
| BUP61 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 370V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-3 |