參數(shù)資料
型號(hào)： BULK118
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開(kāi)關(guān)NPN電源晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
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代理商： BULK118
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case Max
Thermal Resistance Junction-Ambient Max
2.77
80
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= 700 V
V
CE
= 700 V T
j
= 125
o
C
100
500
μ
A
μ
A
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
E
= 10 mA
9
V
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
I
CEO
Collector-Emitter
Leakage Current
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 100 mA L = 25 mH
400
V
V
CE
= 400 V
250
μ
A
I
C
= 0.5 A I
B
= 0.1 A
I
C
= 1 A I
B
= 0.2 A
I
C
= 2 A I
B
= 0.4 A
0.5
1
1.5
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 0.5 A I
B
= 0.1 A
I
C
= 1 A I
B
= 0.2 A
I
C
= 2 A I
B
= 0.4 A
1.0
1.2
1.3
V
V
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA V
CE
= 5 V
I
C
= 0.5 A V
CE
= 5 V
I
C
= 2 A V
CE
= 5 V
10
10
8
50
t
r
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Rise Time
Storage Time
Fall Time
V
CC
= 125 V I
C
= 1 A
I
B1
= 0.2 A I
B2
= -0.2 A
0.4
3.2
0.25
0.7
4.5
0.4
μ
s
μ
s
μ
s
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 1 A I
B1
= 0.2 A
V
BE
= -5 V L = 50 mH
V
clamp
= 300 V
0.8
0.16
μ
s
μ
s
Pulsed: Pulse duration = 300 ms, duty cycle 1.5 %
BULK118
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PDF描述
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BULK128_01 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BULK128_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:High voltage fast-switching NPN power transistor
BULK128D 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BULK128D/-B 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bulk
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