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參數(shù)資料
| 型號： | BUL50B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | SOT-93 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 400V五（巴西）總裁|第15A一（c）|的SOT - 93 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | BUL50B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUL51A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 30A I(C) | SOT-93 |
| BUL51B | TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 40A I(C) | SOT-93 |
| BUP57 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 25A I(C) | SOT-93 |
| BUP58 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 15A I(C) | SOT-93 |
| BUP59 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUL510 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUL510_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL51A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 30A I(C) | SOT-93 |
| BUL51B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 40A I(C) | SOT-93 |
| BUL52 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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