參數(shù)資料
型號(hào)： BUL48
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 400V五（巴西）總裁| 7A條一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： BUL48
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PDF描述
BUL48B NPN
BUL50B TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | SOT-93
BUL51A TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 30A I(C) | SOT-93
BUL51B TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 40A I(C) | SOT-93
BUP57 TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 25A I(C) | SOT-93
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUL48A 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BUL48B 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device.
BUL49A 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL49B 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package.
BUL49D 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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