參數(shù)資料
型號： BUL312FH
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： BUL312FH
BUL312FH
2/6
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
j
= 25 °C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= 1150 V
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
V
EBO
Emitter-Base Voltage
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
*
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
*
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 2 A
I
C
= 3 A
V
BE(sat)
*
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 2 A
I
C
= 3 A
h
FE
*
DC Current Gain
I
C
= 10 mA
I
C
= 3 A
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
L = 200 μH
(See Figure 1)
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
L = 200 μH
T
j
= 125 °C
* Pulsed: Pulse duration = 300
μs, duty cycle = 1.5 %.
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
3.47
62.5
°C/W
°C/W
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
1
2
Unit
mA
mA
V
CE
= 1150 V
T
j
= 125 °C
V
CE
= 500 V
250
μ
A
I
E
= 10 mA
9
V
I
C
= 100 mA
500
V
I
C
= 1 A
I
B
= 200 mA
I
B
= 400 mA
I
B
= 600 mA
I
B
= 200 mA
I
B
= 400 mA
I
B
= 600 mA
V
CE
= 5 V
V
CE
= 2.5 V
V
clamp
= 250 V
V
BE(off)
= -5 V
R
BB
= 0
0.5
0.7
1.1
V
V
V
I
C
= 1 A
1
1.1
1.2
V
V
V
8
8
16
t
s
t
f
I
C
= 2 A
I
B1
= 400 mA
1.2
80
1.9
160
μs
ns
t
s
t
f
I
C
= 2 A
I
B1
= 400 mA
V
clamp
= 250 V
V
BE(off)
= -5 V
R
BB
= 0
(See Figure 1)
1.8
150
μs
ns
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PDF描述
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