參數(shù)資料
型號(hào)： BUL310PI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistors(高壓快速NPN功率晶體管)
中文描述： 高壓快速NPN電源開關(guān)晶體管（高壓快速npn型功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 86K
代理商： BUL310PI
THERMAL DATA
TO-220
ISOWATT220
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case
Thermal Resistance Junction-Ambient
Max
Max
1.65
62.5
3.58
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
μ
A
μ
A
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= 1000 V
V
CE
= 1000 V
T
j
= 125
o
C
100
500
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter-Base Voltage
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
EC
= 400 V
250
V
CEO(sus)
I
C
= 100 mA
L= 25 mH
500
V
V
EBO
I
E
= 10 mA
9
V
V
CE(sat)
I
C
= 1 A
I
C
= 2 A
I
C
= 3 A
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.4 A
I
B
= 0.6 A
0.5
0.7
1.1
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 1 A
I
C
= 2 A
I
C
= 3 A
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.4 A
I
B
= 0.6 A
1
1.1
1.2
V
V
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA
I
C
= 3 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 2.5 V
10
10
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 2 A
V
BE(off)
= -5 V
V
CL
= 250 V
I
B1
= 0.4 A
R
BB
= 0
L = 200
μ
H
1.2
80
1.9
160
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 2 A
V
BE(off)
= -5V
V
CL
= 250 V
T
j
= 125
o
C
I
B1
= 0.4 A
R
BB
= 0
L = 200
μ
H
1.8
150
μ
s
ns
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe OperatingAreas
DeratingCurve
BUL310/PI
2/7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUL312FH HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL382D High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistors(高壓快速NPN功率晶體管)
BUL381D High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistors(高壓快速NPN功率晶體管)
BUL382 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高電壓快速開關(guān)NPN功率晶體管)
BUL381 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高電壓快速開關(guān)NPN功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUL312FH 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL312FP 功能描述:兩極晶體管 - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUL381 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL381D 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUL381D_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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