- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369569 > BUL128D-A TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BUL128D-A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 400V五（巴西）總裁| 4A條一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 216K |
| 代理商： | BUL128D-A |
DC Current Gain
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Inductive Load Storage Time
Inductive Load Fall Time
BUL1203EFP
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUL138FP | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL26 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220VAR |
| BUL26D | |
| BUL310PI | |
| BUL47A | NPN |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUL128D-B | 功能描述:TRANS NPN HV FAST 400V TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| BUL128D-B_05 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL128DFP | 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH VOLTAGE NPN POWER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| BUL128FP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUL128FP_01 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
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