參數(shù)資料
型號： BUL116D
廠商： 意法半導體
英文描述： MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 中壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 218K
代理商： BUL116D
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case Max
Thermal Resistance Junction-Ambient Max
2.08
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
μ
A
V
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Emitter-Base Voltage
(I
C
= 0)
V
CE
= 400 V
V
CE
= 400 V T
c
= 125
o
C
I
E
= 10 mA
100
500
V
EBO
9
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 100 mA
200
V
V
CE
= 200 V
250
μ
A
I
C
= 0.5 A I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A I
B
= 0.1 A
I
C
= 3 A I
B
= 0.6 A
I
C
= 5 A I
B
= 1 A
I
C
= 1 A I
B
= 0.1 A
I
C
= 5 A I
B
= 1 A
I
C
= 10 mA V
CE
= 5 V
I
C
= 5 A V
CE
= 5 V
0.25
0.4
0.7
1.2
V
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
1.1
1.5
V
V
h
FE
DC Current Gain
10
8
20
t
r
t
f
t
s
RESISTIVE LOAD
Rise Time
Fall Time
Storage Time
V
CC
= 125 V I
C
= 2 A
I
B1
= 0.4 A I
B2
= -0.4 A
t
p
= 30
μ
s (see figure 2)
0.2
0.2
1.4
0.4
μ
s
μ
s
μ
s
t
s
t
f
V
F
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 2 A I
B1
= 0.4 A
V
BE
= -5 V L = 500
μ
H
V
clamp
= 180 V (see figure 1)
0.5
0.1
μ
s
μ
s
V
Diode Forward Voltage I
C
= 2 A
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
1.5
Safe Operating Area
Derating Curve
BUL116D
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