參數(shù)資料
型號(hào)： BUL1101E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開(kāi)關(guān)NPN電源晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 234K
代理商： BUL1101E
DIM.
mm
TYP.
inch
TYP.
0.645
0.102
MIN.
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.40
10.00
13.00
2.65
15.25
6.20
3.50
MAX.
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.70
10.40
MIN.
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.394
MAX.
0.181
0.052
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.202
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
A
C
D
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
M
DIA.
16.40
14.00
2.95
15.75
6.60
3.93
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
2.60
3.75
3.85
0.147
0.151
P011CI
TO-220 MECHANICAL DATA
BUL1101E
6/7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUL116 MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL116D MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL118 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高壓快速開(kāi)關(guān)NPN功率晶體管)
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參數(shù)描述
BUL1102E 功能描述:TRANS NPN 450V 4A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
BUL1102EFP 功能描述:TRANS NPN 450V 4A TO-220FP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
BUL116 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL116D 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL118 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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