參數資料
型號: BUL1101E
廠商: 意法半導體
英文描述: HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述: 高壓快速開關NPN電源晶體管
文件頁數: 3/7頁
文件大?。?/td> 234K
代理商: BUL1101E
Safe Operating Area
Output Characteristics
Base-Emitter Saturation Voltage
Derating Curve
Collector-Emitter Saturation Voltage
DC Current Gain
BUL1101E
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相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數
參數描述
BUL1102E 功能描述:TRANS NPN 450V 4A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
BUL1102EFP 功能描述:TRANS NPN 450V 4A TO-220FP RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
BUL116 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL116D 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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