- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369569 > BUK9L06-55B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BUK9L06-55B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 9/13頁 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | BUK9L06-55B |
Philips Semiconductors
BUK9L06-55B
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 13 August 2002
9 of 13
9397 750 09953
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
V
DS
= 25 V
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 25 A
Fig 14. Gate-source voltage as a function of turn-on
gate charge; typical values.
V
GS
= 0 V
Fig 15. Reverse diode current as a function of reverse diode voltage; typical values.
03nj63
0
25
50
75
100
0
1
2
3
VGS (V)
ID
(A)
Tj = 175
°
C
Tj = 25
°
C
03nj61
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
QG (nC)
VGS
(V)
VDD = 14 V
VDD = 44 V
03nj60
0
25
50
75
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 175
°
C
Tj = 25
°
C
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