參數(shù)資料
型號： BUK9L06-55B
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 75A條（丁）| TO - 220AB現(xiàn)有
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代理商： BUK9L06-55B
Philips Semiconductors
BUK9L06-55B
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 13 August 2002
8 of 13
9397 750 09953
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= V
GS
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 25 V
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03ng52
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-60
0
60
120
180
Tj (oC)
VGS(th)
(V)
max
typ
min
03ng53
10-6
10-5
10-4
10
-3
10
-2
10
-1
ID
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VGS (V)
max
typ
min
03nj62
0
50
100
150
200
0
20
40
60
80
ID (A)
gfs
(S)
03nj67
0
2000
4000
6000
8000
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BUK9M11-40EX 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:53A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.4nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1721pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BUK9M120-100EX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.5A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.05V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:882pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:44W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:119 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BUK9M12-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:54A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2769pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BUK9M14-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:44A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.3nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1211pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:55W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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