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參數(shù)資料
| 型號： | BUK993-60A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | SOT-263 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 18A條（丁）|的SOT - 263 |
| 文件頁數(shù)： | 12/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 355K |
| 代理商： | BUK993-60A |
Philips Semiconductors
BUK9907-40ATC
TrenchPLUS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 28 January 2002
12 of 15
9397 750 09139
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
9.
Package outline
Fig 20. SOT263B.
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT263B
5-lead TO-220
D
D1
q
p
p1
L
1
5
L1
mounting
base
L2
m
e
Q
b
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 5-lead TO-220
SOT263B
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
E
A1
c
Notes
1. Terminal dimensions are uncontrolled in this zone.
2. Positional accuracy of the terminals is controlled in this zone.
w
M
UNIT
A1
D1
e
p1
mm
1.7
q
Q
A
b
D
c
L2
(2)
0.5
4.3
4.1
p
3.8
3.6
m
0.8
0.6
15.0
13.5
2.4
1.6
3.0
2.7
2.6
2.2
w
0.4
0.7
0.4
15.8
15.2
0.85
0.70
4.5
4.1
1.39
1.27
6.4
5.9
10.3
9.7
L1
(1)
E
L
01-01-11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK995-60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263 |
| BUK9L06-55B | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
| BUL1102EFP | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL118D | BJT |
| BUL1203EFP | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK995-60A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263 |
| BUK9C07-65BIT,118 | 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-7，DPak（6 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 |
| BUK9C1R3-40EJ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 40V D2PAK |
| BUK9C2R2-60EJ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BUK9C2R2-60E/D2PAK/REEL13// - Tape and Reel |
| BUK9C3R8-80EJ | 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 |
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