參數(shù)資料
型號： BUK993-60A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | SOT-263
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 18A條（丁）|的SOT - 263
文件頁數(shù)： 10/15頁
文件大?。?/td> 355K
代理商： BUK993-60A
Philips Semiconductors
BUK9907-40ATC
TrenchPLUS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 28 January 2002
10 of 15
9397 750 09139
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
V
DS
= 25 V
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 50 A
Fig 14. Gate-source voltage as a function of turn-on
gate charge; typical values.
I
DG(CL)
=
2 mA
Fig 15. Drain-source clamping voltage as a function of
drain current; typical values.
I
D
= 10 A
Fig 16. Drain-source clamping voltage as a function of
gate current; typical values.
03ne80
0
20
40
60
80
100
I
D
(A)
0.0
1.0
2.0
3.0
V
GS
(V)
T
j
= 175 oC
T
j
= 25 oC
03ne87
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
120
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
V
DS
= 14 V
V
DS
= 35 V
03ne82
48.5
49
49.5
50
50.5
51
0
2
4
6
8
10
I
D
(A)
V
DSR(CL)
(V)
T
j
= 175 oC
T
j
= 25 oC
T
j
= -55 oC
03ne83
40
42
44
46
48
50
52
54
0
1
2
3
-IGS(CL) (mA)
V
DSR(CL)
(V)
Tj = 175 oC
Tj = 25 oC
Tj = -55 oC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK995-60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263
BUK9L06-55B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
BUL1102EFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL118D BJT
BUL1203EFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
BUK995-60A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263
BUK9C07-65BIT,118 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-7，DPak（6 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500
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