參數(shù)資料
型號： BUK7620-55
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS（TM）transistor Standard level FET(TrenchMOS（TM）晶體管標準電平FET)
中文描述： 52 A, 55 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-404, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： BUK7620-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7620-55
Fig.17. Switching test circuit.
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
April 1998
6
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK7621-30 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7728-55A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220F
BUK7735-55A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220F
BUK866-400 IZ Insulated Gate Bipolar Transistor Protected Logic-Level IGBT(帶邏輯電平保護的絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）)
BUK9120-48TC PowerMOS transistor Voltage clamped logic level FET with temperature sensing diodes(帶溫度感應(yīng)二極管的功率MOS鉗位電壓邏輯電平場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK7620-55A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.
BUK7620-55A /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7620-55A,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7620-55T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 52A I(D) | SOT-404
BUK7621-30 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
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