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參數(shù)資料
| 型號： | BUK7615-100A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 中文描述： | 75 A, 100 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | BUK7615-100A |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7615-100A
Fig.13. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.14. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 25 A; parameter V
DS
Fig.15. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.16. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 75 A
Fig.17. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.18. Switching test circuit.
0.01
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
T
VDS/V
Ciss
Coss
Crss
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
10
12
VGS/V
QG/nC
VDS =
14V
80V
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
20
40
60
80
100
ID/A
VSDS/V
Tj/C =
175
25
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
January 1999
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK76150-55A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-263AB |
| BUK7616-55A | TrenchMOS standard level FET |
| BUK7618-30 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| BUK7618-55 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| BUK7620-55 | TrenchMOS（TM）transistor Standard level FET(TrenchMOS（TM）晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平FET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK7615-100A /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK7615-100A,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK7616-55A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET |
| BUK7616-55A /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK7616-55A,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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