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參數(shù)資料
| 型號： | BUK7615-100A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 中文描述： | 75 A, 100 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | BUK7615-100A |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7615-100A
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
5 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.00001
0.001
0.1
10
0.001
0.01
0.1
1
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
Zth / (K/W)
t/S
D =
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
200
250
300
ID/A
VDS/V
VGS\V =
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
9.0
10.0
20.0
1
10
100
1
10
100
1000
ID/A
VDS/V
RDS(ON) = VDS/ID
tp =
100mS
10mS
1mS
100uS
1uS
DC
0
20
40
60
80
100
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20RDS(ON)/mOhm
ID/A
VGS/V =
5.5
6.0
6.5
8.0
10.0
January 1999
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK76150-55A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-263AB |
| BUK7616-55A | TrenchMOS standard level FET |
| BUK7618-30 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| BUK7618-55 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| BUK7620-55 | TrenchMOS（TM）transistor Standard level FET(TrenchMOS（TM）晶體管標準電平FET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK7615-100A /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK7615-100A,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK7616-55A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET |
| BUK7616-55A /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK7616-55A,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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