參數(shù)資料
型號： BUK6E3R2-55C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 120 A, 55 V, 0.0048 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大小： 181K
代理商： BUK6E3R2-55C
BUK6E3R2-55C
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Product data sheet
Rev. 01 — 6 September 2010
8 of 14
NXP Semiconductors
BUK6E3R2-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 9.
Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 10. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
Fig 11. Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
Fig 12. Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
003aad806
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
max
typ
min
003aae542
0
1
2
3
4
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max @1mA
typ @1mA
min @2.5mA
003aae289
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
I
D
(A)
R
DSon
(m
Ω
)
4.5
5.0
10
V
GS
(V) = 3.8
4.0
003aad803
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
相關PDF資料
PDF描述
BUK6E3R4-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E4R0-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK7105-40ATE N-channel TrenchPLUS standard level FET
BUK7107-40ATC N-channel TrenchPLUS standard level FET
BUK7108-40AIE N-channel TrenchPLUS standard level FET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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BUK6E3R4-40C127 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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